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纳米尺度相变存储器新结构及关键工艺研发 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
Authors:  付英春
Adobe PDF(2634Kb)  |  Favorite  |  View/Download:921/52  |  Submit date:2015/06/03
相变存储器  全限制  自对准  牺牲层  量子点  
水平全限制相变存储器工艺研发及器件制备研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
Authors:  付英春
Adobe PDF(5214Kb)  |  Favorite  |  View/Download:852/29  |  Submit date:2012/06/25
多位高集成度垂直结构存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-17
Inventors:  付英春;  王晓峰;  杨富华
Adobe PDF(847Kb)  |  Favorite  |  View/Download:474/94  |  Submit date:2014/12/25
环形垂直结构相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24
Inventors:  付英春;  王晓峰;  杨富华
Adobe PDF(1094Kb)  |  Favorite  |  View/Download:474/86  |  Submit date:2014/11/17
通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
Inventors:  付英春;  王晓峰;  张加勇;  白云霞;  梁秀琴;  马慧莉;  季安;  杨富华
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与光刻分辨率无关的水平相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
Inventors:  付英春;  王晓峰;  张加勇;  季安;  杨富华
Adobe PDF(767Kb)  |  Favorite  |  View/Download:365/96  |  Submit date:2014/10/31
通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
Inventors:  付英春;  王晓峰;  张加勇;  白云霞;  梁秀琴;  马慧莉;  季安;  杨富华
Adobe PDF(708Kb)  |  Favorite  |  View/Download:507/124  |  Submit date:2014/10/31
多位高集成度垂直结构存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-17
Inventors:  付英春;  王晓峰;  杨富华
Adobe PDF(847Kb)  |  Favorite  |  View/Download:357/80  |  Submit date:2014/12/25
基于埋层的垂直结构存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07
Inventors:  付英春;  王晓峰;  杨富华
Adobe PDF(1214Kb)  |  Favorite  |  View/Download:488/89  |  Submit date:2014/12/25
一种水平全限制相变量子点相变机理的检测方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15
Inventors:  付英春;  王晓峰;  季安;  杨富华
Adobe PDF(1522Kb)  |  Favorite  |  View/Download:372/66  |  Submit date:2014/12/25