| 基于锥形衬底的相变存储器的制备方法 | |
| 付英春; 马刘红; 杨富华; 王晓峰; 周亚玲; 杨香; 王晓东 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体所 |
| 公开日期 | 2016-09-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 微电子学 |
| 申请日期 | 2015-12-03 |
| 申请号 | CN201510881248.8 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27407 |
| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 付英春,马刘红,杨富华,等. 基于锥形衬底的相变存储器的制备方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 基于锥形衬底的相变存储器的制备方法.pd（523KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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