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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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共18条,第1-10条
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
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发表日期:2008
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85
90
95
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一种生长二氧化硅薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓东
;
季安
;
邢波
;
杨富华
Adobe PDF(485Kb)
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浏览/下载:1197/194
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提交时间:2009/06/11
一种互补式金属氧化层半导体磁传感器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
周盛华
;
吴南健
;
杨志超
Adobe PDF(331Kb)
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浏览/下载:1023/163
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提交时间:2009/06/11
检测键合质量的红外透视成像装置及调节方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
何国荣
;
郑婉华
;
杨国华
;
石岩
;
渠红伟
;
宋国锋
;
陈良惠
Adobe PDF(602Kb)
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浏览/下载:1359/233
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提交时间:2009/06/11
长波长垂直腔面发射激光器的结构和制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
何国荣
;
渠红伟
;
郑婉华
;
杨国华
;
宋国锋
;
陈良惠
Adobe PDF(702Kb)
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收藏
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浏览/下载:1076/206
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提交时间:2009/06/11
二维纳米结构深刻蚀方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
马小涛
;
郑婉华
;
杨国华
;
任刚
;
陈良惠
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浏览/下载:1141/199
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yang, CB
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Zhang, XB
;
Hua, GX
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Li, JP
;
Li, JM
;
Wang, ZG
;
Yang, CB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Jia 35,Qinghua Dong Rd,POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cbyang@semi.ac.cn
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浏览/下载:1193/394
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Jiang DS
;
Jahn U
;
Chen J
;
Li DY
;
Zhang SM
;
Zhu JJ
;
Zhao DG
;
Liu ZS
;
Yang H
;
Ploog K
;
Jiang, DS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1053/336
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao DG
;
Jiang DS
;
Zhu JJ
;
Liu ZS
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Jahn U
;
Ploog KH
;
Zhao DG Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: dgzhao@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1039/318
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
肖雪芳
;
杨国华
;
归强
;
王国宏
;
马晓宇
;
陈朝
;
陈良惠
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浏览/下载:1340/478
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
曹延名
;
吴孟
;
杨富华
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浏览/下载:1157/368
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提交时间:2010/11/23