二维纳米结构深刻蚀方法
马小涛; 郑婉华; 杨国华; 任刚; 陈良惠
2008-01-09
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2006-07-07
语种中文
申请号200610091006
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3927
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
马小涛,郑婉华,杨国华,等. 二维纳米结构深刻蚀方法[P]. 2008-01-09.
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