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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang B;  Lu YW;  Song HP;  Liu XL;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Zhang, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: zhangbiao@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng HW;  Xiang HJ;  Wei SH;  Li SS;  Xia JB;  Li JB;  Peng HW Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: Suhuai_Wei@nrel.gov;  jbli@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang LQ;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Zhao DG;  Liu ZS;  Zhang SM;  Yang H;  Zhang LQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lqzhang@semi.ac.cn;  hyang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Guo X;  Liu ZS;  Zhang SM;  Wang YT;  Yang H;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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The influence of substrate nucleation on HVPE-grown GaN thick films - art. no. 684105 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Wei, TB;  Duan, RF;  Wang, JX;  Li, JM;  Huo, ZQ;  Zeng, YP;  Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Semicond Lighting Technol, Beijing 100083, Peoples R China.
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Hvpe  Gan  Nitridation  Polarity  Etching  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu SL;  Bian LF;  Uesugi M;  Nosho H;  Tackeuchi A;  Niu ZC;  Lu, SL, Waseda Univ, Dept Appl Phys, Tokyo 1698555, Japan. 电子邮箱地址: sllu@waseda.jp
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang DS;  Jahn U;  Chen J;  Li DY;  Zhang SM;  Zhu JJ;  Zhao DG;  Liu ZS;  Yang H;  Ploog K;  Jiang, DS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  占荣;  赵有文;  于会永;  高永亮;  惠峰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  NIU Zhihong;  REN Zhengwei;  HE Zhenhong
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  朱蓉辉;  曾一平;  卜俊鹏;  惠峰;  郑红军;  赵冀;  高永亮
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