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Microstructural and compositional characteristics of GaN films grown on a ZnO-buffered Si(111) wafer 会议论文
MICRON, 35 (6), Wuhan, PEOPLES R CHINA, OCT 17-21, 2003
作者:  Luo XH;  Wang RM;  Zhang XP;  Zhang HZ;  Yu DP;  Luo MC;  Wang RM Peking Univ Electron Microscopy Lab Beijing 100871 Peoples R China. 电子邮箱地址: rmwang@pku.edu.cn
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Transmission Electron Microscopy  Electron Energy Loss Spectroscopy  Molecular Beam Epitaxy  Gallium Nitride  Chemical-vapor-deposition  Epitaxy  Layer  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu M;  Zhang BS;  Chen J;  Liu JP;  Shen XM;  Zhao DG;  Zhang JC;  Wang JF;  Li N;  Jin RQ;  Zhu JJ;  Yang H;  Wu, M, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Study of infrared luminescence from Er-implanted GaN films 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:  Chen WD;  Song SF;  Zhu JJ;  Wang XL;  Chen CY;  Hsu CC;  Chen WD Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: wdchen@red.semi.ac.cn
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Doping  Metalorganic Chemical Vapor Deposition  Molecular Beam Epitaxy  Gallium Compounds  Semiconducting Gallium Compounds  Erbium  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu Y;  Cong GW;  Liu XL;  Lu DC;  Zhu QS;  Wang XH;  Wu JJ;  Wang ZG;  Lu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yuanlu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin RQ;  Liu JP;  Zhang JC;  Yang H;  Jin, RQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: rqjin@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song SF;  Chen WD;  Su FH;  Zhu JJ;  Ding K;  Hsu CC;  Song, SF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sfsong@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo, XH;  Wang, RM;  Zhang, XP;  Zhang, HZ;  Yu, DP;  Luo, MC;  Wang, RM, Peking Univ, Electron Microscopy Lab, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: rmwang@pku.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen WD;  Song SF;  Zhu JJ;  Wang XL;  Chen CY;  Hsu CC;  Chen, WD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wdchen@red.semi.ac.cn
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Molecular beam epitaxial growth of GaN on 3c-SiC/Si(111) substrates using a thick AIN buffer layer 会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:  Gao, X;  Li, JM;  Sun, GS;  Zhang, NH;  Wang, L;  Zhao, WS;  Zeng, YP;  Gao, X, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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Si(111)  Aln  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, JJ;  Li, DB;  Lu, Y;  Han, XX;  Li, JM;  Wei, HY;  Kang, TT;  Wang, XH;  Liu, XL;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Wu, JJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiejunw@red.semi.ac.cn
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