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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng WH;  Ren G;  Xing MX;  Chen W;  Liu AJ;  Zhou WJ;  Baba T;  Nozaki K;  Chen LH;  Zheng, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: whzheng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, ZJ;  Qu, SC;  Zeng, XB;  Liu, JP;  Zhang, CS;  Tan, FR;  Jin, L;  Wang, ZG;  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsc@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu NH;  Hasen QQG;  Zhang HG;  Wen JM;  Xie L;  Zhu NH Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: nhzhu@semi.ac.cn;  hasen@semi.ac.cn;  zhhg@semi.ac.cn;  jmwen@semi.ac.cn;  xiel@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xing, HY;  Fan, GH;  Zhao, DG;  He, M;  Zhang, Y;  Zhou, TM;  Fan, GH, S China Normal Univ, Inst Optoelect Mat & Technol, Guangzhou 501631, Guangdong, Peoples R China. 电子邮箱地址: hy.xing@yahoo.com.cn;  gfan@scnu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kazanskii, AG;  Kong, GL;  Zeng, XB;  Hao, HY;  Liu, FZ;  Kazanskii, AG, Moscow MV Lomonosov State Univ, Dept Phys, Moscow 119991, Russia. 电子邮箱地址: kazanski@phys.msu.ru
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang ZC;  Chen YH;  Xu B;  Liu FQ;  Shi LW;  Tang CG;  Wang ZG;  Wang, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangzc@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, T;  Zhang, WF;  Chen, YH;  Yin, J;  Zhang, WF, Henan Univ, Inst Microsyst Phys, Sch Phys & Elect, Kaifeng 475004, Peoples R China. 电子邮箱地址: wfzhang@henu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng, JY;  Miao, JG;  Wang, YG;  Wang, BS;  Tan, HM;  Qian, LS;  Ma, XY;  Peng, JY, Chinese Acad Sci, Changchun Inst Opt Fine Mech & Phys, Changchun 130033, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiyingpengl11@163.com
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Observation of photogalvanic current for interband absorption in InN films at room temperature 会议论文
2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008
作者:  Tang, CG;  Chen, YH;  Liu, Y;  Zhang, RQ;  Liu, XL;  Wang, ZG;  Zhang, R;  Zhang, Z;  Tang, CG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Quantum-wells  Spin  
Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Kyoto, JAPAN, OCT 15-18, 2007
作者:  Wang, XH;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Feng, C;  Wang, XY;  Wang, BZ;  Yang, CB;  Wang, JX;  Wang, CM;  Ran, JX;  Hu, GX;  Li, JM;  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Gas Sensors  Hemt Structures  Mobility  Temperature  Transistors  Growth  Mocvd  Layer