Observation of photogalvanic current for interband absorption in InN films at room temperature
Tang, CG; Chen, YH; Liu, Y; Zhang, RQ; Liu, XL; Wang, ZG; Zhang, R; Zhang, Z; Tang, CG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
2008
会议名称2nd IEEE International Nanoelectronics Conference
会议录名称2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE
页码VOLS 1-3: 1066-1069
会议日期MAR 24-27, 2008
会议地点Shanghai, PEOPLES R CHINA
出版地345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA
出版者IEEE
ISBN978-1-4244-1572-4
部门归属[tang, c. g.; chen, y. h.; liu, y.; zhang, r. q.; liu, x. l.; wang, z. g.] chinese acad sci, inst semicond, key lab semicond mat sci, beijing 100083, peoples r china
摘要The linear and circular photogalvanic effects have been observed in undoped InN films for the interband transition by irradiation of 1060 nm laser at room temperature. The spin polarized photocurrent depends on the degree of polarization, and changes its sip when the radiation helicity changes from left-handed to right-handed. This result indicates the sizeable spin-orbit interaction in the InN epitaxial layer and provides an effective method to generate spin polarized photocurrent and to detect spin-splitting effect in semiconductors with promising applications on spintronics.
关键词Quantum-wells Spin
学科领域半导体材料
主办者IEEE.
收录类别CPCI-S
语种英语
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/7758
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
通讯作者Tang, CG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
推荐引用方式
GB/T 7714
Tang, CG,Chen, YH,Liu, Y,et al. Observation of photogalvanic current for interband absorption in InN films at room temperature[C]. 345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA:IEEE,2008:VOLS 1-3: 1066-1069.
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