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| Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者: Chen Z; Chua SJ; Yuan HR; Liu XL; Lu DC; Han PD ; Wang ZG; Chen Z Singapore MIT Alliance AMMNS E4-04-10NUS4 Engn Dr3 Singapore 117576 Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg
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Metalorganic Chemical Vapor Deposition Semiconducting Iii-v Materials Doped Al(x)Ga1-xn/gan Heterostructures Carrier Confinement Effect Transistors Photoluminescence Mobility Heterojunction Interface Hfets |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang YG; Li W; Han PD; Zhang Z; Wang YG,Chinese Acad Sci,Inst Phys,Beijing Lab Electron Microscopy,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李昱峰; 韩培德; 陈振; 黎大兵; 王占国; 刘祥林; 陆大成; 王晓军; 汪度
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 韩培德; 刘祥林; 袁海荣; 陈振; 李昱峰; 陆沅; 汪度; 陆大成; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李昱峰; 陈振; 韩培德; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陆大成; 刘祥林; 韩培德; 王晓晖; 汪度; 袁海荣
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| Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者: Yuan HR; Lu DC; Liu XL; Han PD; Wang XH; Wang D; Lu DC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Algan/gan Heterostructures In-doping 2deg Electron Sheet Density X-ray Diffraction Etching Chemical-vapor-deposition Molecular-beam Epitaxy Phase Epitaxy Mobility Growth Films |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陆大成; 刘祥林; 韩培德; 王晓晖; 汪度; 袁海荣
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘祥林; 王成新; 韩培德
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘祥林; 王成新; 韩培德; 陆大成; 王晓晖; 汪度; 王良臣
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