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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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文献类型:会议论文
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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Si based quantum cascade structure: from energy band structures design to materials growth
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Hangzhou, PEOPLES R CHINA, JUN 09-14, 2008
作者:
Yu, JZ
;
Han, GQ
;
Yu, JZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Electronic structure and optical gain saturation of InAs1-xNx/GaAs quantum dots
会议论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
作者:
Chen J
;
Fan WJ
;
Xu Q
;
Zhang XW
;
Li SS
;
Xia JB
;
Chen, J, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore.
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提交时间:2010/03/09
Emission
Novel photonic crystal structure GaN-based light-emitting diodes - art. no. 68410J
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Hu HY
;
Lu L
;
Du W
;
Liu HW
;
Kan Q
;
Wang CX
;
Xu XS
;
Chen HD
;
Hu, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100864, Peoples R China.
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浏览/下载:1873/537
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提交时间:2010/03/09
Gan
Single-negative negative index metamaterials with broad bandwidth - art. no. 683109
会议论文
NANOPHOTONICS,NANOSTRUCTURE,AND NANOMETROLOGY II, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Chen JJ
;
Fan ZC
;
Yang FH
;
Chen, JJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res Ctr Semicond Integrat, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Negative Index Metamaterials
Dipole mode photonic crystal point defect laser on InGaAsP/InP
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 16-19, 2005
作者:
Zheng WH
;
Ren G
;
Ma XT
;
Cai XH
;
Chen LH
;
Nozaki K
;
Baba T
;
Zheng, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nano Optoelect Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: whzheng@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Dipole Mode
Simulation of a monolithically integrated CMOS bioamplifier for EEG recordings
会议论文
2005 IEEE CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS丛书标题: IEEE Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, Kowloon, PEOPLES R CHINA, DEC 19-21, 2005
作者:
Sui XH (Sui Xiaohong)
;
Liu JB (Liu Jinbin)
;
Gu M (Gu Ming)
;
Pei WH (Pei Weihua)
;
Chen HD (Chen Hongda)
;
Sui, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Amplifier
Calculation of valence subband structures for strained GaInP/AlGaInP quantum wells without axial approximation
会议论文
SEMICONDUCTOR AND ORGANIC OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 09-11, 2004
作者:
Xu Y
;
Zhu XP
;
Gan QQ
;
Song GF
;
Cao Q
;
Guo, L
;
Li YZ
;
Chen LH
;
Xu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Valence Band Mixing
Theoretical analysis of the bandgap for the intermixed GaInP/AlGaInP quantum wells
会议论文
SEMICONDUCTOR AND ORGANIC OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 09-11, 2004
作者:
Xu Y
;
Zhu XP
;
Song GF
;
Cao Q
;
Guo L
;
Li YZ
;
Chen LH
;
Xu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100864, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Quantum Well Intermixing
Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:
Jiang DS
;
Bian LF
;
Liang XG
;
Chang K
;
Sun BQ
;
Johnson S
;
Zhang YH
;
Jiang DS CAS Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1517/405
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提交时间:2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy
Quantum Wells
Gaassb/gaas
Gaas
Lasers
Gain
Resonant tunneling of holes in GaMnAs-related double- barrier structures
会议论文
JOURNAL OF SUPERCONDUCTIVITY, 16 (2), WURZBURG, GERMANY, JUL, 2002
作者:
Wu HB
;
Chang K
;
Xia JB
;
Peeters FM
;
Wu HB Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Zeeman Effect
Gamnas Layer
Double-barrier Structure
Approximation