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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Du Rui;  Dai Yang;  Chen Yanling;  Yang Fuhua
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li DL (Li Dong-Lin);  Zeng YP (Zeng Yi-Ping);  Li, DL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ldl@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  仇志军;  桂永胜;  崔利杰;  曾一平;  黄志明;  疏小舟;  戴宁;  郭少令;  禇君浩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZY;  Xu B;  Jin P;  Meng XQ;  Li CM;  Ye XL;  Li DB;  Wang ZG;  Zhang ZY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jia R;  Jiang DS;  Liu HY;  Wei YQ;  Xu B;  Wang ZG;  Jia R,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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High-quality metamorphic HEMT grown on GaAs substrates by MBE 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Zeng YP;  Cao X;  Cui LJ;  Kong MY;  Pan L;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Cao X Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular Beam Epitaxy  High Electron Mobility Transistors  Density  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zeng YP;  Cao X;  Cui LJ;  Kong MY;  Pan L;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Cao X,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu FQ;  Zhang YZ;  Zhang QS;  Ding D;  Xu B;  Wang ZG;  Jiang DS;  Sun BQ;  Liu FQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li HX;  Wang ZG;  Liang JB;  Xu B;  Lu M;  Wu J;  Gong Q;  Jiang C;  Liu FQ;  Zhou W;  Li HX,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(231Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：866/234  |  提交时间：2010/08/12