已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 马志勇; 冉学军; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 唐健; 罗卫军
Adobe PDF(986Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1507/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 基于TM模激射的圆柱形结构的微盘激光器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨跃德 ; 黄永箴; 罗贤树; 陈沁
Adobe PDF(402Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1108/144  |  提交时间:2009/06/11 |
| 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马志勇; 王晓亮; 冉军学; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 罗卫军
Adobe PDF(1062Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1485/181  |  提交时间:2009/06/11 |
| 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 马志勇; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅; 罗卫军
Adobe PDF(1354Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1409/172  |  提交时间:2009/06/11 |
| 制作半导体微盘激光器的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-11-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 罗贤树; 黄永箴; 陈沁
Adobe PDF(369Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1003/155  |  提交时间:2009/06/11 |
| 探测半导体能带结构高阶临界点的新方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 谭平恒 ; 徐仲英; 罗向东; 葛惟昆
Adobe PDF(484Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1446/210  |  提交时间:2009/06/11 |
| 硅基高量子效率共振腔增强型探测器及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 毛容伟; 滕学公; 李传波; 左玉华; 罗丽萍; 成步文; 于金中; 王启明
Adobe PDF(641Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1440/202  |  提交时间:2009/06/11 |