宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
王晓亮; 马志勇; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅; 罗卫军
2008-03-05
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2006-09-01
语种中文
申请号200610127920
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4029
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
王晓亮,马志勇,胡国新,等. 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法[P]. 2008-03-05.
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