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探测半导体能带结构高阶临界点的新方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  谭平恒;  徐仲英;  罗向东;  葛惟昆
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显微光谱研究半绝缘GaAs带边以上E_0+△_0光学性质 期刊论文
物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 7, 页码: 4213-4217
Authors:  包志华;  景为平;  罗向东;  谭平恒
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GaNAs/GaAs中的激子局域化和发光特性 期刊论文
红外与毫米波学报, 2005, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 185-188
Authors:  罗向东;  徐仲英;  谭平恒;  GE Wei-Kun
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GaNxAs1-x(x<0.01)中合金态的光学特性 期刊论文
物理学报, 2005, 卷号: 54, 期号: 5, 页码: 2385-2388
Authors:  罗向东;  孙炳华;  徐仲英
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Optical Pr operties of GaNAs and GaAsSb Semiconductors 期刊论文
中国科学院研究生院学报, 2005, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: 645-655
Authors:  Luo Xiangdong;  Xu Zhongying
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ZnS中Te等电子中心的时间分辨光谱研究 期刊论文
物理学报, 2005, 卷号: 54, 期号: 5, 页码: 2272-2276
Authors:  杨旭东;  徐仲英;  罗向东;  方再历;  李国华;  苏荫强;  葛惟昆
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新型光电子材料Ga(In)Nas 和Ga(As)Sb光学性质的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2003
Authors:  罗向东
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GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs单量子阱的光学特性研究 期刊论文
物理学报, 2003, 卷号: 52, 期号: 7, 页码: 1761-1765
Authors:  罗向东;  边历峰;  徐仲英;  罗海林;  王玉琦;  王建农;  葛惟琨
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GaN_xAs_(1-x)/GaAs单量子阱发光性质及带阶研究 期刊论文
红外与毫米波学报, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 25
Authors:  罗向东;  徐仲英;  潘钟;  李联合;  林耀望;  葛维琨
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