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探测半导体能带结构高阶临界点的新方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  谭平恒;  徐仲英;  罗向东;  葛惟昆
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  包志华;  景为平;  罗向东;  谭平恒
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  罗向东;  徐仲英;  谭平恒;  GE Wei-Kun
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  罗向东;  孙炳华;  徐仲英
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Luo Xiangdong;  Xu Zhongying
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  杨旭东;  徐仲英;  罗向东;  方再历;  李国华;  苏荫强;  葛惟昆
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新型光电子材料Ga(In)Nas 和Ga(As)Sb光学性质的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2003
Authors:  罗向东
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  罗向东;  边历峰;  徐仲英;  罗海林;  王玉琦;  王建农;  葛惟琨
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  罗向东;  徐仲英;  潘钟;  李联合;  林耀望;  葛维琨
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