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低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  江李;  林涛;  韦欣;  王国宏;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙永伟;  马文全;  杨晓杰;  屈玉华;  侯识华;  江德生;  孙宝权;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  江德生;  刘建平;  杨辉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang DS;  Liu JP;  Yang H;  Jiang, DS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  江李;  林涛;  韦欣;  王国宏;  张广泽;  张洪波;  马骁宇;  李献杰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  徐晓华;  牛智川;  倪海桥;  徐应强;  张纬;  贺正宏;  韩勤;  吴荣汉;  江德生
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  屈玉华;  江德生;  边历峰;  孙征;  牛智川;  徐晓华
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