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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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共61条,第1-10条
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发表日期:2004
语种:英语
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao FA
;
Chen YH
;
Ye XL
;
Jin P
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Zhang CL
;
Zhao, FA, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaofa@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1101/242
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li YL
;
Chen NF
;
Zhou JP
;
Song SL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Li, YL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ylli@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:939/251
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xiang J
;
Wei SH
;
Yan XH
;
You JQ
;
Mao YL
;
Yan, XH, Xiangtan Univ, Inst Modern Phys, Hunan, Peoples R China. 电子邮箱地址: xhyan@xtu.edu.cn
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浏览/下载:867/239
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提交时间:2010/03/09
Investigation of GaAs/AlGaAs interfaces by reflectance-difference spectroscopy
会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:
Ye XL
;
Chen YH
;
Xu B
;
Zeng YP
;
Wang ZG
;
Ye XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: xlye@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1725/258
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提交时间:2010/10/29
Short-period Superlattices
Raman-scattering
Quantum-wells
Growth
Roughness
Segregation
Alas/gaas
Alas
Gaas
Annealing ambient controlled deep defect formation in InP
会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:
Zhao YW
;
Dong ZY
;
Duan ML
;
Sun WR
;
Zeng YP
;
Sun NF
;
Sun TN
;
Zhao YW Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.nc
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浏览/下载:1573/301
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提交时间:2010/10/29
Fe-doped Inp
Semiinsulating Inp
Point-defects
Pressure
Wafers
Traps
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu JP
;
Zhang BS
;
Wu M
;
Li DB
;
Zhang JC
;
Jin RQ
;
Zhu JJ
;
Chen J
;
Wang JF
;
Wang YT
;
Yang H
;
Liu, JP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1020/330
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Huang JS
;
Chen Z
;
Luo XD
;
Xu ZY
;
Ge WK
;
Huang, JS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1181/398
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提交时间:2010/03/09
Long-wavelength SiGe/Si MQW resonant-cavity-enhanced photodiodes (RCE-PD)
会议论文
GETTERING AND DEFECT ENGINEERING IN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, 95-96, BERLIN, GERMANY, SEP 21-26, 2003
作者:
Yu JZ
;
Li C
;
Cheng BW
;
Wang QM
;
Yu JZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: jzyu@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1335/218
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提交时间:2010/11/15
Dbr (Distributed Bragg Reflector)
Mqw (Multiple Quantum Wells)
Optical Fiber Communication
Photodiode
Rce-pd (Resonant-cavity-enhanced Photodiode)
Responsivity
Sige/si
Soi
Study of infrared luminescence from Er-implanted GaN films
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:
Chen WD
;
Song SF
;
Zhu JJ
;
Wang XL
;
Chen CY
;
Hsu CC
;
Chen WD Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: wdchen@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1392/325
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提交时间:2010/11/15
Doping
Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Molecular Beam Epitaxy
Gallium Compounds
Semiconducting Gallium Compounds
Erbium
The diphasic nc-Si/a-Si : H thin film with improved medium-range order
会议论文
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 338, Campos do Jordao, BRAZIL, AUG 25-29, 2003
作者:
Zhang S
;
Liao X
;
Xu Y
;
Martins R
;
Fortunato E
;
Kong G
;
Zhang S Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: sz@uninova.pt
Adobe PDF(484Kb)
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浏览/下载:1440/340
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提交时间:2010/11/15
Amorphous-silicon Films
Scattering
Absorption
Densities
Hydrogen