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中国科学院半导体研究所机构知识库
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发表日期:2003
语种:英语
作者:徐波
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Influence of In0.2Ga0.8As strain-reducing layer on the active region of quantum dot superluminescent diodes
会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:
Zhang ZY
;
Li CM
;
Jin P
;
Meng XQ
;
Xu B
;
Ye XL
;
Wang ZG
;
Zhang ZY Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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期刊论文
作者:
Zhang ZC
;
Chen YH
;
Yang SY
;
Zhang FQ
;
Ma BS
;
Xu B
;
Zeng YP
;
Wang ZG
;
Zhang XP
;
Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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期刊论文
作者:
He J
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Qu SC
;
Liu FQ
;
Zhu TW
;
He J,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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期刊论文
作者:
Zhang ZC
;
Yang SY
;
Zhang FQ
;
Xu B
;
Zeng YP
;
Chen YH
;
Wang ZG
;
Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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期刊论文
作者:
Zhang ZY
;
Jin P
;
Li CM
;
Ye XL
;
Meng XQ
;
Xu B
;
Liu FQ
;
Wang ZG
;
Zhang ZY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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作者:
He J
;
Zhang YC
;
Xu B
;
Wang ZG
;
He J,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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期刊论文
作者:
Zhang ZY
;
Yang CL
;
Wei YQ
;
Ye XL
;
Jin P
;
Li CM
;
Meng XQ
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Zhang ZY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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期刊论文
作者:
Jin P
;
Meng XQ
;
Zhang ZY
;
Li CM
;
Xu B
;
Liu FQ
;
Wang ZG
;
Li YG
;
Zhang CZ
;
Pan SH
;
Jin P,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: pengjin@red.semi.ac.cn
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期刊论文
作者:
He J
;
Zhang YC
;
Xu B
;
Wang ZG
;
He J,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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期刊论文
作者:
Zhang ZC
;
Yang SY
;
Zhang FQ
;
Xu B
;
Zeng YP
;
Chen YH
;
Wang ZG
;
Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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