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中国科学院半导体研究所机构知识库
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中科院半导体材料科... [11]
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专题:中科院半导体材料科学重点实验室
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yun-Yun Ding
;
Zun-Ren Lv
;
Zhong-Kai Zhang
;
Hui-Hong Yuan
;
Tao Yang
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提交时间:2021/11/30
无权访问的条目
期刊论文
作者:
HUI -HONG YUAN
;
FENG GAO
;
TAO YANG
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浏览/下载:117/0
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提交时间:2019/11/15
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yun-Yun Ding
;
Feng Gao
;
Hui-Hong Yuan
;
Zun-Ren Lv
;
Tao Yang
;
Member,IEEE
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浏览/下载:102/0
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提交时间:2019/11/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
HUI-HONG YUAN
;
FENG GAO
;
TAO YANG
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浏览/下载:167/2
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提交时间:2018/05/30
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Dong-Yue Han
;
Hui-Jie Li
;
Gui-Juan Zhao
;
Hong-Yuan Wei
;
Shao-Yan Yang
;
Lian-Shan Wang
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提交时间:2017/03/10
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Jian-Xia Wang
;
Lian-Shan Wang
;
Qian Zhang
;
Xiang-Yue Meng
;
Shao-Yan Yang
;
Gui-Juan Zhao
;
Hui-Jie Li
;
Hong-Yuan Wei
;
Zhan-Guo Wang
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浏览/下载:280/1
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提交时间:2016/03/29
制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人:
张恒
;
魏鸿源
;
杨少延
;
赵桂娟
;
金东东
;
王建霞
;
李辉杰
;
刘祥林
;
王占国
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浏览/下载:1030/103
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提交时间:2014/12/25
半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:
项若飞
;
汪连山
;
赵桂娟
;
金东东
;
王建霞
;
李辉杰
;
张恒
;
冯玉霞
;
焦春美
;
魏鸿源
;
杨少延
;
王占国
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浏览/下载:813/1
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提交时间:2016/09/12
大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:
李辉杰
;
杨少延
;
魏鸿源
;
赵桂娟
;
汪连山
;
李成明
;
刘祥林
;
王占国
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浏览/下载:738/2
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提交时间:2016/09/29
AlN单晶衬底生产设备及其使用方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:
李辉杰
;
杨少延
;
魏鸿源
;
赵桂娟
;
汪连山
;
李成明
;
刘祥林
;
王占国
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浏览/下载:615/5
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提交时间:2016/09/22