已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 廖凌宏; 周志文; 李成; 陈松岩; 赖虹凯; 余金中; 王启明 Adobe PDF(357Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1263/349  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Jiang LG; Kai LH; Cheng L; Yan CS; Zhong YJ; Jiang, LG, Xiamen Univ, Dept Phys, Semicond Photon Res Ctr, Xiamen 361005, Peoples R China. Adobe PDF(456Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:776/222  |  提交时间:2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 周志文; 蔡志猛; 张永; 蔡坤煌; 周笔; 林桂江; 汪建元; 李成; 赖虹凯; 陈松岩; 余金中; 王启明 Adobe PDF(728Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1276/412  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 张永; 李成; 赖虹凯; 陈松岩; 康俊勇; 成步文; 王启明 Adobe PDF(760Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1085/331  |  提交时间:2010/11/23 |
| 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 杨霏; 李成明; 范海波; 陈涌海; 刘志凯; 王占国 Adobe PDF(1107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1411/193  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Lin GJ (Gui-Jiang, Lin); Zhou ZW (Zhou Zhi-Wen); Lai HK (Lai Hong-Kai); Li C (Li Cheng); Chen SY (Chen Song-Yan); Yu JZ (Yu Jin-Zhong); Lin, GJ, Xiamen Univ, Dept Phys, Semicond Photon Res Ctr, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: jzyu@red.semi.ac.cn Adobe PDF(226Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:859/267  |  提交时间:2010/03/29 |
| 一种制备金属铪薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 Adobe PDF(1622Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1190/117  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种制备金属锆薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 Adobe PDF(1501Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1333/153  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 Adobe PDF(1262Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1243/148  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 Adobe PDF(1337Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1265/128  |  提交时间:2009/06/11 |