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| 利用凹区作选择区域外延制作平面型集成有源波导的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 朱洪亮; 侯康平; 杨华; 梁松 ; 王圩
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| 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 杨霏; 李成明; 范海波; 陈涌海; 刘志凯; 王占国
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| 具有温度补偿效应的环路压控振荡器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 邝小飞; 吴南健; 王海永
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| 一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 于理科; 徐波; 王占国; 金鹏; 赵昶; 张秀兰
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| 一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 于理科; 徐波; 王占国; 金鹏; 赵昶; 张秀兰
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| 大功率980nm量子阱半导体激光器半无铝结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王俊; 马骁宇; 林涛; 郑凯; 王勇刚
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| 高注入效率大功率８０８nm量子阱半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王俊; 马骁宇; 郑凯; 林涛; 王勇刚
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| 砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李凯; 叶小玲; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 魏同波; 王军喜; 李晋闽; 刘酷; 段瑞飞
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郑婉华; 任刚; 邢名欣; 杜晓宇; 王科; 张冶金; 陈良惠
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