中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共28条，第1-10条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  吴洁君;  黎大兵;  陆沅;  韩修训;  李杰民;  王晓辉;  刘祥林;  王占国
Adobe PDF(683Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1694/185  |  提交时间：2009/06/11
一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张南红;  王晓亮;  曾一平;  肖红领;  王军喜;  刘宏新;  李晋闽
Adobe PDF(302Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1350/213  |  提交时间：2009/06/11
生长高迁移率氮化镓外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(445Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1089/178  |  提交时间：2009/06/11
生长高阻氮化镓外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  冉军学;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(362Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1246/191  |  提交时间：2009/06/11
氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(542Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1014/175  |  提交时间：2009/06/11
低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  江李;  林涛;  韦欣;  王国宏;  马骁宇
Adobe PDF(256Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1007/140  |  提交时间：2009/06/11
电吸收调制分布反馈半导体激光器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  胡小华;  李宝霞;  朱洪亮;  王圩
Adobe PDF(409Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1041/176  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang NH;  Wang XL;  Zeng YP;  Xiao HL;  Wang JX;  Liu HX;  Li JM;  Zhang, NH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: znhong@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(402Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1143/420  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang NH;  Wang XL;  Zeng YP;  Xiao HL;  Wang JX;  Liu HX;  Li JM;  Zhang, NH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: znhong@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(296Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1052/294  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Eerdunchaolu;  Li, SS;  Xiao, JL;  Eerdunchaolu, Hebei Normal Univ Sci & Technol, Dept Math & Phys, Qinhuangdao 066004, Peoples R China. 电子邮箱地址: zmtlnjtw@public.hh.nm.cn
Adobe PDF(341Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：759/187  |  提交时间：2010/03/17