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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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专题:中国科学院半导体研究所
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作者:
Yang, J (Yang Jun)
;
Zhao, YW (Zhao You-Wen)
;
Dong, ZY (Dong Zhi-Yuan)
;
Deng, AH (Deng Ai-Hong)
;
Miao, SS (Miao Shan-Shan)
;
Wang, B (Wang Bo)
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
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期刊论文
作者:
Zhao, YW (Zhao You-Wen)
;
Miao, SS (Miao Shan-Shan)
;
Dong, ZY (Dong Zhi-Yuan)
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Lue, XH (Lue Xiao-Hong)
;
Deng, AH (Deng Ai-Hong)
;
Yang, J (Yang Jun)
;
Wang, B (Wang Bo)
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
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作者:
Wang B (Wang Bo)
;
Zhao YW (Zhao You-Wen)
;
Dong ZY (Dong Zhi-Yuan)
;
Deng AH (Deng Ai-Hong)
;
Miao SS (Miao Shan-Shan)
;
Yang J (Yang Jun)
;
Zhao, YW, Sichuan Univ, Coll Phys Sci & Technol, Dept Appl Phys, Chengdu 610065, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
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期刊论文
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赵建华
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郑厚植
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提交时间:2010/11/23
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作者:
王博
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
作者:
杨俊
;
赵有文
;
董志远
;
邓爱红
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苗杉杉
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王博
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
作者:
赵有文
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苗杉杉
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董志远
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吕小红
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邓爱红
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杨俊
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王博
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提交时间:2010/11/23
一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵建华
;
邓加军
;
毕京峰
;
牛智川
;
杨富华
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吴晓光
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郑厚植
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提交时间:2009/06/11
无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵建华
;
蒋春萍
;
郑厚植
;
邓加军
;
杨富华
;
牛智川
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提交时间:2009/06/11
(Ga,Mn)As 和闪锌矿结构CrSb 的分子束外延生长制备和磁性质研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:
邓加军
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提交时间:2009/04/13