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Investigation of GaAs/AlGaAs interfaces by reflectance-difference spectroscopy 会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:  Ye XL;  Chen YH;  Xu B;  Zeng YP;  Wang ZG;  Ye XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: xlye@red.semi.ac.cn
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Short-period Superlattices  Raman-scattering  Quantum-wells  Growth  Roughness  Segregation  Alas/gaas  Alas  Gaas  
Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:  Chen Z;  Chua SJ;  Yuan HR;  Liu XL;  Lu DC;  Han PD;  Wang ZG;  Chen Z Singapore MIT Alliance AMMNS E4-04-10NUS4 Engn Dr3 Singapore 117576 Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg
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Metalorganic Chemical Vapor Deposition  Semiconducting Iii-v Materials  Doped Al(x)Ga1-xn/gan Heterostructures  Carrier Confinement  Effect Transistors  Photoluminescence  Mobility  Heterojunction  Interface  Hfets  
Microstructural and compositional characteristics of GaN films grown on a ZnO-buffered Si(111) wafer 会议论文
MICRON, 35 (6), Wuhan, PEOPLES R CHINA, OCT 17-21, 2003
作者:  Luo XH;  Wang RM;  Zhang XP;  Zhang HZ;  Yu DP;  Luo MC;  Wang RM Peking Univ Electron Microscopy Lab Beijing 100871 Peoples R China. 电子邮箱地址: rmwang@pku.edu.cn
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Transmission Electron Microscopy  Electron Energy Loss Spectroscopy  Molecular Beam Epitaxy  Gallium Nitride  Chemical-vapor-deposition  Epitaxy  Layer  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ye, XL;  Chen, YH;  Xu, B;  Zeng, YP;  Wang, ZG;  Ye, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlye@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li CB;  Cheng BW;  Mao RW;  Zuo YH;  Shi WH;  Huang CJ;  Luo LP;  Yu JZ;  Wang QM;  Li, CB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cbli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu, XH;  Niu, ZC;  Ni, HQ;  Xu, YQ;  Zhang, W;  He, ZH;  Han, Q;  Wu, RH;  Xu, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Supperlattice & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xiaohua_xu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xia JS;  Yu JZ;  Fan ZC;  Wang ZT;  Chen SW;  Xia, JS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jsxia@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li CB;  Huang CJ;  Cheng BW;  Zuo YH;  Mao RW;  Luo LP;  Yu JZ;  Wang QM;  Li, CB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cbli@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng YC;  Fu GS;  Yu W;  Li SQ;  Wang YL;  Peng, YC, Hebei Univ, Coll Elect & Informat Engn, Baoding 071002, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JC;  Wang JF;  Wang YT;  Wu M;  Liu JP;  Zhu JJ;  Yang H;  Zhang, JC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jczhang@red.semi.ac.cn
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