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| 一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 吴洁君; 韩修训 ; 李杰民; 黎大兵 ; 陆沅; 王晓晖
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| 自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 吴洁君; 黎大兵 ; 陆沅; 韩修训 ; 李杰民; 王晓辉; 刘祥林; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 吴洁君; 韩修训 ; 李杰民; 黎大兵 ; 魏宏远; 康亭亭; 王晓晖; 刘祥林; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Liu JP; Zhang BS; Wu M; Li DB ; Zhang JC; Jin RQ; Zhu JJ; Chen J; Wang JF; Wang YT; Yang H; Liu, JP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 李昱峰; 韩培德 ; 陈振; 黎大兵 ; 王占国; 刘祥林; 陆大成; 王晓军; 汪度
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 董逊; 黄劲松; 黎大兵 ; 刘祥林; 徐仲英; 王占国
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