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单电子多值存储器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-12-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  吴南健
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半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨君玲;  陈诺夫;  何家宏;  钟兴儒;  吴金良;  林兰英;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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Controllable growth of semiconductor nanometer structures 会议论文
MICROELECTRONICS JOURNAL, 34 (5-8), FORTALEZA, BRAZIL, DEC 08-13, 2002
作者:  Wang ZG;  Wu J;  Wang ZG Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(249Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1243/233  |  提交时间：2010/11/15
Inas Quantum Dots  Self-organization  Monolayer Coverage  Density  Gaas  Islands  Inp(001)  Epitaxy  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang BS;  Wu M;  Shen XM;  Chen J;  Zhu JJ;  Liu JP;  Feng G;  Zhao DG;  Wang YT;  Yang H;  Zhang BS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(232Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2048/868  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang ZG;  Wu J;  Wang ZG,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(249Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：835/203  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang J;  Zhao DG;  Sun YP;  Duan LH;  Wang YT;  Zhang SM;  Yang H;  Zhou SQ;  Wu MF;  Wang J,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张书明;  杨辉;  段俐宏;  王海;  李秉成;  王胜国;  吴启保;  章裕中;  胡德进;  张双益
Adobe PDF(176Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：969/354  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  申荣铉;  陈弘达;  毛陆虹;  唐君;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  裴为华;  陈弘达;  邓晖;  毛陆虹;  杜云;  唐君;  梁琨;  吴荣汉;  王启明
Adobe PDF(251Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1062/322  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘新宇;  孙海峰;  刘洪民;  陈焕章;  扈焕章;  海潮和;  和致经;  吴德馨
Adobe PDF(333Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：971/294  |  提交时间：2010/11/23