单电子多值存储器
吴南健
2003-12-31
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2002-06-21
语种中文
申请号CN02124386.7
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3007
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
吴南健. 单电子多值存储器[P]. 2003-12-31.
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