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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zheng J; Zuo YH; Wang W; Tao YL; Xue CL ; Cheng BW; Wang QM; Zheng, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, A35 QingHua E Rd, Beijing 100083, Peoples R China. zhengjun@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhao HW; Hu WX; Xue CL ; Cheng BW; Wang QM; Zhao, HW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. hwzhao@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Jingtao Zhou; Huajun Shen; Rui Jia; Huanming Liu; Yidan Tang; Chengyue Yang; Chunlai Xue ; Xinyu Liu
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 苏少坚 ; 汪巍 ; 张广泽 ; 胡炜玄 ; 白安琪 ; 薛春来 ; 左玉华 ; 成步文 ; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zheng J; Ding WC; Xue CL ; Zuo YH; Cheng BW; Yu JZ; Wang QM; Wang GL; Guo HQ; Zheng, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Stare Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: zhengjun@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 胡炜玄 ; 成步文 ; 薛春来 ; 薛海韵 ; 苏少坚 ; 白安琪 ; 罗丽萍; 俞育德; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 苏少坚 ; 汪巍 ; 胡炜玄 ; 张广泽 ; 薛春来 ; 左玉华 ; 成步文 ; 王启明
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| 一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010183385.1, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 胡炜玄; 成步文; 薛春来 ; 张广泽; 王启明
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