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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-16, 公开日期: 4007
发明人:
杨 涛
;
季海铭
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浏览/下载:1369/204
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提交时间:2010/03/19
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ji HM
;
Cao YL
;
Yang T
;
Ma WQ
;
Cao Q
;
Chen LH
;
Ji HM Chinese Acad Sci Inst Semicond Nanooptoelect Lab Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tyang@semi.ac.cn
Adobe PDF(214Kb)
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浏览/下载:1147/341
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
季海铭
;
曹玉莲
;
杨涛
;
马文全
;
曹青
;
陈良惠
Adobe PDF(486Kb)
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浏览/下载:1118/324
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提交时间:2010/11/23
二维纳米结构深刻蚀方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
马小涛
;
郑婉华
;
杨国华
;
任刚
;
陈良惠
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浏览/下载:1253/199
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
马文全
;
杨晓杰
;
种明
;
苏艳梅
;
杨涛
;
陈良惠
;
邵军
;
吕翔
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浏览/下载:1231/420
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提交时间:2010/11/23
用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
彭长涛
;
陈诺夫
;
吴金良
;
尹志冈
;
杨霏
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浏览/下载:1399/150
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
余金中
;
陈少武
;
夏金松
;
王章涛
;
樊中朝
;
李艳萍
;
刘敬伟
;
杨笛
;
陈媛媛
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浏览/下载:1835/590
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
徐遵图
;
徐俊英
;
杨国文
;
张敬明
;
殷涛
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赵红东
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廉鹏
;
陈良惠
;
沈光地
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
作者:
庄婉如
;
林雯华
;
杨培生
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李任
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石志文
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赵一兵
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孙富荣
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高俊华
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刘涛
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提交时间:2010/11/23