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High-brightness 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot tapered laser with high temperature stability 期刊论文
OPTICS LETTERS, 2012, 卷号: 37, 期号: 19, 页码: 4071-4073
Authors:  Cao YL (Cao, Yulian);  Ji HM (Ji, Haiming);  Xu PF (Xu, Pengfei);  Gu YX (Gu, Yongxian);  Ma WQ (Ma, Wenquan);  Yang T (Yang, Tao)
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高性能1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
Authors:  季海铭
Adobe PDF(11409Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1227/171  |  Submit date:2010/07/12
高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-16, 公开日期: 4007
Inventors:  杨 涛;  季海铭 
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p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究 期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 3, 页码: 1896-1900
Authors:  季海铭;  曹玉莲;  杨涛;  马文全;  曹青;  陈良惠
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生长InP基InAs量子阱的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20
Inventors:  季海铭;  罗帅;  杨涛
Adobe PDF(434Kb)  |  Favorite  |  View/Download:425/101  |  Submit date:2014/10/24
制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19
Inventors:  罗帅;  季海铭;  杨涛
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锑作为表面活性剂的InP基InAs量子阱材料的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
Inventors:  季海铭;  罗帅;  杨涛
Adobe PDF(292Kb)  |  Favorite  |  View/Download:355/112  |  Submit date:2014/12/25
制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
Inventors:  杨涛;  高凤;  罗帅;  季海铭
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大晶格失配可调谐量子阱激光器外延芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
Inventors:  罗帅;  季海铭;  杨涛
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二氧化碳检测用半导体激光芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
Inventors:  罗帅,季海铭,高凤,杨涛
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