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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中科院半导体材料科学重点实验室
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作者:
X. Rong
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X. Q. Wang
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G. Chen
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X. T. Zheng
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P. Wang
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F. J. Xu
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Z. X. Qin
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L. W. Sang
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W. K. Ge
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B. Shen
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提交时间:2016/03/18
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Fan S, Qin Z, He C, Hou M, Wang X, Shen B, Li W, Wang W, Mao D, Jin P, Yan J, Dong P.
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浏览/下载:542/106
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提交时间:2014/03/18
掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
宋华平
;
杨安丽
;
郭严
;
魏鸿源
;
刘祥林
;
朱勤生
;
杨少延
;
王占国
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浏览/下载:1523/243
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提交时间:2011/08/31
一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:
赵桂娟
;
李志伟
;
桑玲
;
刘贵鹏
;
刘长波
;
谷承艳
;
魏鸿源
;
刘祥林
;
朱勤生
;
杨少延
;
王占国
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提交时间:2014/10/29
一种高反射率的垂直结构发光二级管芯片及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:
赵桂娟
;
汪连山
;
杨少延
;
刘贵鹏
;
魏鸿源
;
焦春美
;
刘祥林
;
朱勤生
;
王占国
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提交时间:2016/09/29