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| 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 倪海桥; 韩勤; 张石勇; 吴东海; 赵欢; 杨晓红 ; 彭红玲; 周志强; 熊永华; 吴荣汉
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| 以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王元立; 吴巨; 金鹏; 叶小玲; 张春玲; 黄秀颀; 陈涌海; 王占国
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| 1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 方志丹; 倪海桥; 韩勤; 龚政; 张石勇; 佟存柱; 彭红玲; 吴东海; 赵欢; 吴荣汉
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| 半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨君玲; 陈诺夫; 何家宏; 钟兴儒; 吴金良; 林兰英; 刘志凯; 杨少延; 柴春林
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| 磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-05-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈诺夫; 杨君玲; 何宏家; 钟兴儒; 吴金良; 林兰英
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| InGaN太阳能电池及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-19
发明人: 李亮; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 吴亮亮; 乐伶聪; 杨辉
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| 一种测量半导体材料弹光系数的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-04
发明人: 武树杰; 陈涌海; 刘雨; 高寒松; 俞金玲
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| 改进p-GaN薄膜欧姆接触的材料结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人: 吴亮亮; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 李亮; 乐伶聪; 杨辉
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| 含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-08
发明人: 杨静; 赵德刚; 李亮; 吴亮亮; 乐伶聪; 李晓静; 何晓光
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| 基于扇形周期极化晶体可调谐蓝光激光装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 张玲; 林学春; 于海娟; 赵鹏飞; 吴鹏; 袁仙丹; 杨盈莹; 赵伟芳; 张志研; 梁浩; 何超建; 齐瑶瑶; 陈寒; 陈晴; 王磊
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