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GaN 基紫外探测器关键问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
Authors:  吴亮亮
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Deng Y;  Zhao DG;  Le LC;  Jiang DS;  Wu LL;  Zhu JJ;  Wang H;  Liu ZS;  Zhang SM;  Yang H;  Liang JW;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Deng Y;  Zhao DG;  Wu LL;  Liu ZS;  Zhu JJ;  Jiang DS;  Zhang SM;  Liang JW;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  邓懿;  赵德刚;  吴亮亮;  刘宗顺;  朱建军;  江德生;  张书明;  梁骏吾
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InGaN太阳能电池及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-19
Inventors:  李亮;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  陈平;  吴亮亮;  乐伶聪;  杨辉
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改进p-GaN薄膜欧姆接触的材料结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
Inventors:  吴亮亮;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  陈平;  李亮;  乐伶聪;  杨辉
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含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-08
Inventors:  杨静;  赵德刚;  李亮;  吴亮亮;  乐伶聪;  李晓静;  何晓光
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