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| 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 闫发旺; 高海永; 樊中朝; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 王军喜; 张扬 Adobe PDF(556Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1774/269  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种纳米尺度镍金空气桥的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张杨; 刘剑; 李艳; 杨富华 Adobe PDF(539Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1330/213  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 闫发旺; 高永海; 张扬; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖 Adobe PDF(526Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1687/272  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 闫发旺; 高海永; 张扬; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖 Adobe PDF(447Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1662/270  |  提交时间:2009/06/11 |
| 高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张扬; 闫发旺; 高海永; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 李晋闽 Adobe PDF(561Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:3007/218  |  提交时间:2009/06/11 |
| 通过注氧进行量子限制的硅基单电子晶体管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 韩伟华; 张扬; 刘剑; 杨富华 Adobe PDF(871Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1189/159  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102157640A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 李璟; 王国宏; 魏同波; 张杨; 孔庆峰 Adobe PDF(301Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2056/350  |  提交时间:2012/09/09 |
| 依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810224109.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 杨香; 韩伟华; 王颖; 张杨; 杨富华 Adobe PDF(396Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1536/249  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种制备硅纳米结构的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810240932.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张仁平; 张杨; 杨富华 Adobe PDF(422Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1434/217  |  提交时间:2011/08/31 |
| 锑化物高电子迁移率晶体管及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910236705.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 李彦波; 张杨; 曾一平 Adobe PDF(898Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1548/254  |  提交时间:2011/08/31 |