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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL;  Chen TS;  Xiao HL;  Tang J;  Ran JX;  Zhang ML;  Feng C;  Hou QF;  Wei M;  Jiang LJ;  Li JM;  Wang ZG;  Wang XL Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xlwang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ding K (Ding, K.);  Zeng YP (Zeng, Y. P.);  Wei XC (Wei, X. C.);  Li ZC (Li, Z. C.);  Wang JX (Wang, J. X.);  Lu HX (Lu, H. X.);  Cong PP (Cong, P. P.);  Yi XY (Yi, X. Y.);  Wang GH (Wang, G. H.);  Li JM (Li, J. M.);  Ding, K, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dingkai@red.semi.ac.cn
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AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:  Tang J;  Wang XL;  Chen TS;  Xiao HL;  Ran JX;  Zhang ML;  Hu GX;  Feng C;  Hou QF;  Wei M;  Li JM;  Wang ZG;  Tang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Algan/gan Hemts  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang PF (Zhang, P. F.);  Liu XL (Liu, X. L.);  Wei HY (Wei, H. Y.);  Fan HB (Fan, H. B.);  Liang ZM (Liang, Z. M.);  Jin P (Jin, P.);  Yang SY (Yang, S. Y.);  Jiao CM (Jiao, C. M.);  Zhu QS (Zhu, Q. S.);  Wang ZG (Wang, Z. G.);  Zhang, PF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangpanf@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei, HY (Wei, H. Y.);  Cong, GW (Cong, G. W.);  Zhang, PF (Zhang, P. F.);  Hu, WG (Hu, W. G.);  Wu, JJ (Wu, J. J.);  Jiao, CM (Jiao, C. M.);  Liu, XL (Liu, X. L.);  Zhu, QS (Zhu, Q. S.);  Wang, ZG (Wang, Z. G.);  Wei, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 10083, Peoples R China. 电子邮箱地址: why@semi.ac.cn
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A high-gain high-linearity wide-band low noise amplifier for terrestrial and cable receptions 会议论文
2006 INTERNATIONAL CONFERENCE ON COMMUNICATIONS CIRCUITS AND SYSTEMS PROCEEDINGS 丛书标题: International Conference on Communications, Circuits and Systems, Guilin, PEOPLES R CHINA, JUN 25-28, 2006
作者:  Ma, DS (Ma, Desheng);  Mao, W (Mao, Wei);  Gu, M (Gu, Ming);  Shi, Y (Shi, Yin);  Dai, FF (Dai, Fa Foster);  Jaeger, RC (Jaeger, Richard C.);  Ma, DS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Artificial Neural Network & High Speed Circuit La, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li C;  Yang QQ;  Wang HJ;  Wei HZ;  Yu JZ;  Wang QM;  Li C,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi W;  Fang C;  Xu Z;  Pan Q;  Gu Q;  Xu D;  Wei H;  Yu J;  Shi W,Shandong Univ,State Key Lab Crystal Mat,Jinan 250100,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei HZ(魏红振);  Yu JZ(余金中);  Liu ZL(刘忠立);  Zhang XF(张晓峰);  Shi W(史伟);  Fang CS(房昌水)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kang XJ(康学军);  Lin SM(林世鸣);  Liao QW(廖奇为);  Gao JH(高俊华);  Cheng P(程澎);  Liu SA(刘世安);  Wang QM(王启明);  Du GT(杜国同);  Liu Y(刘颖);  Li XM(李雪梅)
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