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| 基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910085926.4, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 张爽; 赵德刚; 刘文宝; 孙苋; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 王辉; 段俐宏; 杨辉 Adobe PDF(345Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1455/174  |  提交时间:2011/08/30 |
| Ⅲ族氮化物纳米材料的生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910085917.5, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 孙苋; 刘文宝; 朱建军; 江德生; 王辉; 张书明; 刘宗顺; 杨辉 Adobe PDF(462Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1395/173  |  提交时间:2011/08/30 |
| 一种基于键合技术制作微波传输线的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237093.9, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 张岭梓; 曹权; 左玉华; 王启明 Adobe PDF(256Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1253/163  |  提交时间:2011/08/30 |
| 一种半导体p-i-n结太阳能电池外延片及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810226677.1, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 王辉; 朱建军; 张书明; 杨辉 Adobe PDF(582Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1276/131  |  提交时间:2011/08/30 |
| 一种紫外红外双色探测器及制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010183403.6, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 刘宗顺; 赵德刚; 朱建军; 张书明; 王辉; 江德生; 杨辉 Adobe PDF(841Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1097/117  |  提交时间:2011/08/30 |
| GaN基光电子器件表面粗化的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237781.5, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 王辉; 朱建军; 张书明; 杨辉 Adobe PDF(403Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1176/161  |  提交时间:2011/08/30 |
| 基于光纤阵列同步2×2机械式光开关 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241684.3, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 祝宁华; 鞠昱; 张艳; 温继敏; 王欣 Adobe PDF(363Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1132/153  |  提交时间:2011/08/30 |
| 一种InGaN半导体光电极的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263078.4, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 王辉; 朱建军; 张书明; 杨辉 Adobe PDF(453Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1185/178  |  提交时间:2011/08/30 |
| 氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910077383.1, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 刘文宝; 孙苋; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 王辉; 杨辉 Adobe PDF(619Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1391/163  |  提交时间:2011/08/30 |
| 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30 发明人: 苏少坚; 汪巍; 成步文; 王启明; 张广泽; 胡炜玄; 白安琪; 薛春来; 左玉华 Adobe PDF(307Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1376/110  |  提交时间:2011/08/30 |