| 氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法 |
| 刘文宝; 孙苋; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明 ; 朱建军; 王辉; 杨辉
|
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
|
| 公开日期 | 2011-08-30
|
| 授权国家 | 中国
|
| 专利类型 | 发明
|
| 摘要 | 一种氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法，其中该氮化镓基雪崩型探测器包括：一衬底；一N型掺杂的GaN欧姆接触层制作在衬底上；一非故意掺杂GaN吸收层制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上，该非故意掺杂GaN吸收层的面积小于N型掺杂的GaN欧姆接触层的面积；一N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层制作在非故意掺杂的GaN吸收层上；一非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层制作在N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层上；一P型掺杂的AlGaN欧姆接触层制作在非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层上；一N型欧姆接触电极制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上；一P型欧姆接触电极制作在P型掺杂的AlGaN欧姆接触层上。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
|
| 专利号 | CN200910077383.1
|
| 语种 | 中文
|
| 专利状态 | 公开
|
| 申请号 | CN200910077383.1
|
| 专利代理人 | 汤保平
|
| 文献类型 | 专利
|
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22069
|
| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
刘文宝,孙苋,赵德刚,等. 氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法. CN200910077383.1.
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论