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| 半导体激光器热沉 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王大拯; 冯晓明; 王俊; 吕卉; 李伟; 刘媛媛; 刘素平; 马骁宇
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| 一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 吴洁君; 韩修训 ; 李杰民; 黎大兵 ; 陆沅; 王晓晖
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| 自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 吴洁君; 黎大兵 ; 陆沅; 韩修训 ; 李杰民; 王晓辉; 刘祥林; 王占国
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| 在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陆沅; 刘祥林; 陆大成; 王晓晖; 王占国
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| Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈振; 陆大成; 刘祥林; 王晓晖; 袁海荣; 王占国
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| 半导体面发光器件及增强横向电流扩展的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘祥林; 陆大成; 王晓晖; 袁海荣
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| 一种氮化物半导体器件 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2001-10-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陆大成; 刘祥林; 袁海荣; 王晓晖
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