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| 具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 丁颖; 王圩; 潘教青 ; 王宝军; 陈娓兮
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| 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 王建林; 伊小燕; 马龙
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| 对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 姜磊; 白云霞; 王莉
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| 用于波长转换的半导体光学放大器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张瑞英; 王圩; 简永生
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Pan JQ (Pan Jiao-Qing); Zhao Q (Zhao Qian); Zhu HL (Zhu Hong-Liang); Zhao LJ (Zhao Ling-Juan); Ding Y (Ding Ying); Wang BJ (Wang Bao-Jun); Zhou F (Zhou Fan); Wang LF (Wang Lu-Feng); Wang W (Wang Wei); Pan, JQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Optoelect Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jqpan@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 马龙; 王良臣; 黄应龙; 杨富华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 马龙; 杨富华; 王良臣; 余洪敏; 黄应龙
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵有文; 孙文荣; 段满龙; 董志远; 杨子祥; 吕旭如; 王应利
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 潘教青; 赵谦; 朱洪亮; 赵玲娟; 丁颖; 王宝军; 周帆; 王鲁峰; 王圩
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