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| 1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 封松林; 杨富华; 王晓东; 汪辉; 李树英; 苗振华; 李树深
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| Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈振; 陆大成; 刘祥林; 王晓晖; 袁海荣; 王占国
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| 铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-07-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韩培德 ; 刘祥林; 王晓晖; 陆大成
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| 自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-06-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陆大成; 王晓晖; 姚文卿; 刘祥林
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| 采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 雷红兵; 王红杰; 胡雄伟; 邓晓清; 王启明
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| 半导体面发光器件及增强横向电流扩展的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘祥林; 陆大成; 王晓晖; 袁海荣
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张小峰; 余金中; 王启明; 魏红振
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王文青; 宋淑芳; 艾家和; 韩晓英; 赵金茹; 许宏飞; 史利军
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡桂青; 孔翔; 王乙潜; 万里; 段晓峰; 陆沅; 刘祥林
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 邓晓清; 杨沁清; 王红杰; 胡雄伟; 王启明
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