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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [4]
作者
谭平恒 [1]
文献类型
会议论文 [4]
发表日期
2003 [4]
语种
英语 [4]
出处
5TH INTERN... [1]
GAN AND RE... [1]
GAN AND RE... [1]
MATERIALS ... [1]
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收录类别
CPCI-S [4]
资助机构
Japan Soc ... [1]
Mat Res So... [1]
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SEMI OpenIR
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共4条,第1-4条
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限定条件
发表日期:2003
语种:英语
文献类型:会议论文
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条数/页:
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85
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95
100
排序方式:
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提交时间升序
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作者升序
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期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
Reduction in crystallographic tilt of lateral epitaxial overgrown GaN by using new patterned shape mask
会议论文
5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS, NARA, JAPAN, MAY 25-30, 2003
作者:
Feng G
;
Shen XM
;
Zhu JJ
;
Zhang BS
;
Yang H
;
Liang JW
;
Feng G Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1409/308
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提交时间:2010/10/29
Buffer Layer
Substrate
Diodes
Growth
Optical study of localized and delocalized states in GaAsN/GaAs
会议论文
GAN AND RELATED ALLOYS - 2003, 798, Boston, MA, DEC 01-05, 2003
作者:
Xu ZY
;
Luo XD
;
Yang XD
;
Tan PH
;
Yang CL
;
Ge WK
;
Zhang Y
;
Mascarenhas A
;
Xin HP
;
Tu CW
;
Xu ZY Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1724/334
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提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Alloys
Gaas1-xnx
Photoluminescence
Relaxation
Low-frequency noise properties of GaN Schottky barriers deposited on intermediate temperature buffer layers
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 6 (5-6), Sendai, JAPAN, MAR 20-22, 2003
作者:
Leung BH
;
Fong WK
;
Surya C
;
Lu LW
;
Ge WK
;
Surya C Hong Kong Polytech Univ Photon Res Ctr Dept Elect & Informat Engn Hong Kong Hong Kong Peoples R China. 电子邮箱地址: ensurya@polyu.edu.hk
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浏览/下载:1473/281
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提交时间:2010/10/29
Gan
Low-frequency Noise
Deep Levels
Deep Level Transient Fourier Spectroscopy
Devices
High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE
会议论文
GAN AND RELATED ALLOYS-2002, 743, BOSTON, MA, DEC 02-06, 2002
作者:
Wang JX
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Hu GX
;
Liu HX
;
Lin LY
;
Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1847/427
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提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Ion-scattering Spectroscopy
Lattice Polarity
Single-crystals
Films
Polarization
Gan(0001)
Surfaces
Growth
Diodes