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生长氧化物薄膜的金属有机物化学气相沉积反应室结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  丛光伟;  刘祥林;  董向芸;  魏宏源;  王占国
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一种基于混合集成的光子晶体滤波器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩培德;  陆晓东;  全宇军;  叶志成;  窦金锋
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1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  方志丹;  倪海桥;  韩勤;  龚政;  张石勇;  佟存柱;  彭红玲;  吴东海;  赵欢;  吴荣汉
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能引出低熔点金属离子的冷阴极潘宁离子源 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐嘉东;  李建明;  杨占坤
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使多个V形光伏器件组件连接的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李建明;  种明;  徐嘉东;  刘海涛;  边莉;  迟迅;  翟永辉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao YW (Zhao Y. W.);  Dong ZY (Dong Z. Y.);  Deng AH (Deng A. H.);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature 会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:  Zhao, YW (Zhao, Y. W.);  Dong, ZY (Dong, Z. Y.);  Deng, AH (Deng, A. H.);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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Indium Phosphide  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵有文;  董志远;  魏学成;  段满龙;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵有文;  董志远;  李成基;  段满龙;  孙文荣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  邵云东;  王柱;  赵有文;  唐方圆
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