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血压监测 MEMS 压力传感器制备及可植入封装 学位论文
工程硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  尤志伟
Adobe PDF(8420Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:250/1  |  提交时间:2023/07/03
用于微纳米材料热电性能测量的微悬空结构研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  魏江涛
Adobe PDF(5222Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:295/0  |  提交时间:2021/06/17
高性能 MEMS 陀螺的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:  钟卫威
Adobe PDF(2364Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1130/43  |  提交时间:2013/06/24
无权访问的条目 期刊论文
作者:  杜彦东;  韩伟华;  颜伟;  张严波;  熊莹;  张仁平;  杨富华
Adobe PDF(531Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:3233/1392  |  提交时间:2012/07/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘伟;  杨富华
Adobe PDF(1516Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1068/348  |  提交时间:2011/08/16
依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224109.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  杨香;  韩伟华;  王颖;  张杨;  杨富华
Adobe PDF(396Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1392/249  |  提交时间:2011/08/31
SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人:  杜彦东;  韩伟华;  颜伟;  张严波;  杨富华
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利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157361A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-08-17, 2012-09-07
发明人:  颜伟;  杜彦东;  韩伟华;  杨富华
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微机电系统机械组元可靠性评估的测试装置及方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910078562.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  杨晋玲;  周威;  周美强;  朱银芳;  杨富华
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以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081225.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  李艳;  杨富华;  裴为华
Adobe PDF(351Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1790/278  |  提交时间:2011/08/31