| 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法; 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法 |
| 颜伟; 杜彦东; 韩伟华; 杨富华
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专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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公开日期 | 2012-09-07
; 2011-08-17
; 2012-09-07
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授权国家 | 中国
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专利类型 | 发明
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摘要 | 一种利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法,包括如下步骤:步骤1:在待制备T型栅的样品上面淀积介质钝化层;步骤2:在介质钝化层上涂覆抗蚀剂;步骤3:利用光子束超衍射纳米加工技术,在抗蚀剂上曝光,显影,定影,形成栅足图形;步骤4:用RIE刻蚀技术,将栅足图形下面的介质钝化层刻蚀,形成沟槽;步骤5:将残余的抗蚀剂洗去,在介质钝化层上涂覆光刻胶;步骤6:利用光子束超衍射纳米加工技术,在光刻胶上曝光,显影,定影,形成栅头图形;步骤7:在光刻胶上蒸发栅极金属;步骤8:去除光刻胶,在介质钝化层的沟槽和栅头图形上形成三维T型的金属电极。 |
部门归属 | 半导体集成技术工程研究中心
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申请日期 | 2010-12-15
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专利号 | CN102157361A
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语种 | 中文
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专利状态 | 公开
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申请号 | CN201010605875.6
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文献类型 | 专利
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条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23351
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专题 | 半导体集成技术工程研究中心
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推荐引用方式 GB/T 7714 |
颜伟,杜彦东,韩伟华,等. 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法, 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法. CN102157361A.
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