| 以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法 | |
李艳 ; 杨富华; 裴为华
| |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2011-08-31 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法，该方法包括：步骤1：在二氧化硅样品表面制备光刻胶掩膜；步骤2：对光刻胶掩膜进行梯度升温坚膜；步骤3：采用ICP干法刻蚀二氧化硅样品。本发明以光刻胶为掩膜进行二氧化硅深刻蚀，具有工艺简单快捷，选择比高，刻蚀深度可达25微米，刻蚀形貌好，侧壁陡直等优点。 |
| 部门归属 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| 专利号 | CN200910081225.3 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN200910081225.3 |
| 专利代理人 | 周国城 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22401 |
| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李艳,杨富华,裴为华. 以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法. CN200910081225.3. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN200910081225.3.pdf（351KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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