| 依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 |
| 杨香; 韩伟华; 王颖; 张杨; 杨富华
|
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
|
| 公开日期 | 2011-08-31
|
| 授权国家 | 中国
|
| 专利类型 | 发明
|
| 摘要 | 一种依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(a)以绝缘体上硅作为衬底；(b)在衬底上沿<110>晶向方向进行划片，作为曝光时的参考方向；(c)将衬底进行热氧化，生成二氧化硅掩膜层；(d)采用电子束曝光，生成平面图形；(e)采用各向同性腐蚀液对二氧化硅掩膜层进行腐蚀；(f)再采用各向异性湿法腐蚀，在二氧化硅掩膜层下的硅层上获得依赖晶面的三维限制硅纳米结构。 |
| 部门归属 | 半导体集成技术工程研究中心
|
| 专利号 | CN200810224109.8
|
| 语种 | 中文
|
| 专利状态 | 公开
|
| 申请号 | CN200810224109.8
|
| 专利代理人 | 汤保平
|
| 文献类型 | 专利
|
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22415
|
| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
杨香,韩伟华,王颖,等. 依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法. CN200810224109.8.
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论