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Optical transitions in GaNAs/GaAs single quantum well 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:  Luo XD;  Xu ZY;  Sun BQ;  Pan Z;  Li LH;  Lin YW;  Ge WK;  Luo XD Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Ganas  Photoluminescence  Band Offset  Band Bowing Coefficient  Localized Exciton  Molecular-beam Epitaxy  Alloys  Temperature  Gaasn  
Effect of rapid thermal annealing on electron emission and DX centers in strained InGaAs/GaAs single quantum well laser diodes 会议论文
SIMC-XI: 2000 INTERNATIONAL SEMICONDUCTING AND INSULATING MATERIALS CONFERENCE, PROCEEDINGS, CANBERRA, AUSTRALIA, JUL 03-07, 2000
作者:  Lu LW;  Zhang YH;  Xu ZT;  Xu ZY;  Wang ZG;  Wang J;  Ge WK;  Lu LW Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(245Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1273/368  |  提交时间：2010/11/15
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li Q;  Xu ZY;  Ge WK;  Xu ZY,Acad Sinica,Inst Semicond,Natl Lab Supperlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(75Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：732/275  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li Q;  Xu ZY;  Ge WK;  Li Q,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu ZY;  Liu BL;  Li SF;  Yang H;  Ge WK;  Xu ZY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(200Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：898/340  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ho WY;  Surya C;  Tong KY;  Lu LW;  Ge WK;  Ho WY,Hong Kong Polytech Univ,Dept Elect Engn,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
Adobe PDF(89Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：946/297  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu LW;  Mak KK;  Ma ZH;  Wang J;  Sou IK;  Ge WK;  Lu LW,Chinese Acad Sci,Inst Semiconductors,Lab Semiconductor Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(207Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：829/215  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun BQ;  Wang JN;  Jiang DS;  Wu JQ;  Wang YQ;  Ge WK;  Sun BQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,NLSM,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(138Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：925/233  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang JN;  Sun BQ;  Wang XR;  Wang YQ;  Ge WK;  Jiang DS;  Wang HL;  Wang JN,Hong Kong Univ Sci & Technol,Dept Phys,Clear Water Bay,Kowloon,Hong Kong,Peoples R China.
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Static and dynamic electric field domain formation in a doped GaAs/AlAs superlattice 会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:  Wang JN;  Sun BQ;  Wang XR;  Wang YQ;  Ge WK;  Jiang DS;  Wang HL;  Wang JN Hong Kong Univ Sci & Technol Dept Phys Clear Water Bay Kowloon Hong Kong Peoples R China.
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Superlattices  Gaas/alas  Electric Field Domains  Tunnelling  Oscillations