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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [15]
作者
徐波 [2]
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叶小玲 [1]
于丽娟 [1]
文献类型
专利 [7]
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专著 [1]
发表日期
2006 [15]
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共15条,第1-10条
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发表日期:2006
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
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条数/页:
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65
70
75
80
85
90
95
100
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
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期刊影响因子降序
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作者降序
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光子晶体结构GaN基蓝光发光二极管结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
许兴胜
;
陈弘达
;
马勇
Adobe PDF(746Kb)
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浏览/下载:986/134
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提交时间:2009/06/11
半导体材料残余应力的测试装置及方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈涌海
;
赵玲慧
;
曾一平
;
李成基
Adobe PDF(528Kb)
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浏览/下载:1204/207
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提交时间:2009/06/11
一种制备金属铪薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
Adobe PDF(1622Kb)
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浏览/下载:1130/117
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提交时间:2009/06/11
一种制备金属锆薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
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浏览/下载:1260/153
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提交时间:2009/06/11
利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
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浏览/下载:1155/148
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提交时间:2009/06/11
利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
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浏览/下载:1181/128
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提交时间:2009/06/11
在解理面上制作半导体纳米结构的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈涌海
;
张春玲
;
崔草香
;
徐波
;
金鹏
;
刘峰奇
;
王占国
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浏览/下载:1268/186
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提交时间:2009/06/11
纳米半导体技术
专著
北京:化学工业出版社, 2006
作者:
王占国
;
陈涌海
;
叶小玲
JPEG(7Kb)
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浏览/下载:4354/1018
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提交时间:2009/09/19
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao L (Zhao Lei)
;
Chen YH (Chen Yong-hai)
;
Zuo YH (Zuo Yu-hua)
;
Wang HN (Wang Hai-ning)
;
Shi WH (Shi Wen-hua)
;
Zhao, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(391Kb)
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浏览/下载:1151/367
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen Q (Chen Qin)
;
Yang YD (Yang Yue-De)
;
Huang YZ (Huang Yong-Zhen)
;
Chen, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yzhuang@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:738/234
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提交时间:2010/04/11