半导体材料残余应力的测试装置及方法
陈涌海; 赵玲慧; 曾一平; 李成基
2006-09-20
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2005-03-17
语种中文
申请号200510055896
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3353
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
陈涌海,赵玲慧,曾一平,等. 半导体材料残余应力的测试装置及方法[P]. 2006-09-20.
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