SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共9条,第1-9条 帮助

已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
InAs单晶原生缺陷、Mn掺杂及相关光电性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  沈桂英
Adobe PDF(4309Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:670/18  |  提交时间:2018/06/04
Inas单晶  热退火  离子注入  缺陷复合体  杂质带电导  
II-VI族三元光伏材料ZnSeTe的生长与物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  任敬川
Adobe PDF(3047Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:725/12  |  提交时间:2016/06/03
Ii-vi族半导体  分子束外延  Znsete  单晶薄膜  掺杂  
带隙可调的钙钛矿材料制备及其光电器件的应用 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  王乐
Adobe PDF(3539Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:733/39  |  提交时间:2016/05/30
钙钛矿  薄膜  单晶  可调带隙  光电器件  
VGF-Ge单晶衬底完整性、复合缺陷及其对多结电池性能的影响 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  曹可慰
Adobe PDF(3546Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1308/23  |  提交时间:2015/12/08
  单晶  垂直梯度凝固  多结电池  热施主  
直径六英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术 成果
2007
主要完成人:  李晋闽;  曾一平;  惠峰;  卜俊鹏;  王文军;  郑红军;  孙红方
收藏  |  浏览/下载:2348/0  |  提交时间:2010/04/13
六英寸半绝缘砷化镓单晶  
2”直径的半绝缘磷化铟单晶 成果
1992
主要完成人:  刘巽琅;  叶式中;  赵建群;  焦景华;  曹惠梅
收藏  |  浏览/下载:1353/0  |  提交时间:2010/04/13
磷化铟单晶  
微重力条件下从溶体生长GaAs单晶及性质研究 成果
1989
主要完成人:  林兰英;  周伯骏;  钟兴儒;  王占国;  石志文
收藏  |  浏览/下载:1262/0  |  提交时间:2010/04/13
Gaas单晶  
掺氮中子擅变区熔硅单晶的制备 成果
1988
主要完成人:  梁骏吾;  邓礼生;  郑红军;  黄大定;  栾洪发
收藏  |  浏览/下载:1308/0  |  提交时间:2010/04/13
硅单晶  
硅单晶次缺陷图集 成果
1987
主要完成人:  张一心;  蔡田海;  高维滨
收藏  |  浏览/下载:1137/0  |  提交时间:2010/04/13
硅单晶