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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Le LC (Le, L. C.)
;
Zhao DG (Zhao, D. G.)
;
Jiang DS (Jiang, D. S.)
;
Zhang SM (Zhang, S. M.)
;
Yang H (Yang, H.)
;
Li L (Li, L.)
;
Wu LL (Wu, L. L.)
;
Chen P (Chen, P.)
;
Liu ZS (Liu, Z. S.)
;
Li ZC (Li, Z. C.)
;
Fan YM (Fan, Y. M.)
;
Zhu JJ (Zhu, J. J.)
;
Wang H (Wang, H.)
Adobe PDF(1055Kb)
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浏览/下载:1174/355
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提交时间:2013/03/20
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhu, JJ
;
Fan, YM
;
Zhang, H
;
Lu, GJ
;
Wang, H
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
;
Zhang, SM
;
Chen, GF
;
Zhang, BS
;
Yang, H
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浏览/下载:1179/369
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提交时间:2013/02/27
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ying J
;
Zhang XW
;
Yin ZG
;
Tan HR
;
Zhang SG
;
Fan YM
;
Ying, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. xwzhang@semi.ac.cn
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浏览/下载:1476/371
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Huang J
;
Xu K
;
Gong XJ
;
Wang JF
;
Fan YM
;
Liu JQ
;
Zeng XH
;
Ren GQ
;
Zhou TF
;
Yang H
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浏览/下载:1470/547
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提交时间:2011/07/06
降低立方氮化硼薄膜应力的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人:
范亚明
;
张兴旺
;
谭海仁
;
陈诺夫
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浏览/下载:1965/284
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提交时间:2010/08/12
一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12
发明人:
张兴旺
;
蔡培锋
;
游经碧
;
范亚明
;
高 云
;
陈诺夫
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浏览/下载:2940/425
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu JM (Liu J. M.)
;
Liu XL (Liu X. L.)
;
Xu XQ (Xu X. Q.)
;
Wang J (Wang J.)
;
Li CM (Li C. M.)
;
Wei HY (Wei H. Y.)
;
Yang SY (Yang S. Y.)
;
Zhu QS (Zhu Q. S.)
;
Fan YM (Fan Y. M.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
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提交时间:2010/08/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Hao GD (Hao Guo-Dong)
;
Chen YH (Chen Yong-Hai)
;
Fan YM (Fan Ya-Ming)
;
Huang XH (Huang Xiao-Hui)
;
Wang HB (Wang Huai-Bing)
;
Hao, GD, Chinese Acad Sci, Suzhou Inst Nanotech & Nanobion, Nanodevices & Mat Div, Suzhou 215125, Peoples R China.
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浏览/下载:1230/325
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提交时间:2010/12/28
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ying J (Ying J.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Fan YM (Fan Y. M.)
;
Tan HR (Tan H. R.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
;
Zhang, XW, CAS, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. xwzhang@semi.ac.cn
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浏览/下载:1344/332
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提交时间:2010/12/28
一种立方氮化硼薄膜n型掺杂的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:
张兴旺
;
范亚明
;
陈诺夫
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浏览/下载:1557/205
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提交时间:2010/03/19